Hotline: 

0909 758 468

0905 570 558

 

 

Chi tiết sản phẩm

Bộ điều khiển logic có thể lập trình Sê-ri KV Nano

Giá: Liên hệ VNĐ



 

 

Mẫu

KV-8000

Thông số kỹ thuật chung

Điện áp cung cấp

Cấu hình hệ thống sử dụng khối mở rộng cho Sê-ri KV-5000/3000:
24 VDC (±10%)
Cấu hình hệ thống sử dụng khối mở rộng cho Sê-ri KV-8000/7000:
24 VDC (-15% +20%)

Nhiệt độ môi trường vận hành xung quanh

Cấu hình hệ thống sử dụng khối mở rộng cho Sê-ri KV-5000/3000:
0 đến +50°C*1 *2 (không đóng băng)
Cấu hình hệ thống sử dụng khối mở rộng duy nhất cho Sê-ri KV-8000/7000:
0 đến +55°C*1 *2 (không đóng băng)

Độ ẩm môi trường vận hành xung quanh

Cấu hình hệ thống sử dụng khối mở rộng cho Sê-ri KV-5000/3000:
10 đến 95% RH*1 (không ngưng tụ)
Cấu hình hệ thống sử dụng khối mở rộng duy nhất cho Sê-ri KV-8000/7000:
5 đến 95% RH*1 (không ngưng tụ)

Nhiệt độ môi trường lưu trữ xung quanh

Cấu hình hệ thống sử dụng khối mở rộng cho Sê-ri KV-5000/3000:
-20 đến +70°C*1
Cấu hình hệ thống sử dụng khối mở rộng duy nhất cho Sê-ri KV-8000/7000:
-25 đến +75°C*1

Độ ẩm môi trường lưu trữ xung quanh

Cấu hình hệ thống sử dụng khối mở rộng cho Sê-ri KV-5000/3000:
10 đến 95% RH*1 (không ngưng tụ)
Cấu hình hệ thống sử dụng khối mở rộng duy nhất cho Sê-ri KV-8000/7000:
5 đến 95% RH*1 (không ngưng tụ)

Môi trường hoạt động

Không có bụi hoặc khí gây ăn mòn

Độ cao làm việc

Từ 2000 m trở xuống

Mức độ ô nhiễm

2

Loại quá áp

I (II khi sử dụng KV-PU1)

Khả năng chống nhiễu

Từ 1500 Vp-p trở lên;
khoảng thời gian xung: 1 µs, 50 ns (dựa trên bộ mô phỏng nhiểu);
phù hợp tiêu chuẩn IEC (IEC61000-4-2/3/4/6)

Điện áp chống chịu

1500 VAC cho một phút
(giữa đầu cuối nguồn điện và các đầu cuối ngõ vào/ra,
cũng như giữa các đầu cuối bên ngoài và vỏ bọc)

Biến trở cách điện

Từ 50 MΩ trở lên
(giữa đầu cuối nguồn điện và các đầu cuối ngõ vào/ra
cũng như giữa các đầu cuối bên ngoài và vỏ bọc,
với Mega Ôm kế 500 VDC)

Chống chịu rung

Rung động cách quãng

5 đến 9 Hz

Nửa biên độ: 3,5 mm*3

9 đến 150 Hz

Gia tốc: 9,8 m/s2*3

Rung động liên tục

5 đến 9 Hz

Nửa biên độ: 1,75 mm*3

9 đến 150 Hz

Gia tốc: 4,9 m/s2*3

Chống chịu va đập

Gia tốc: 150 m/s2, Thời gian vận dụng: 11 ms,
2 lần cho mỗi hướng X, Y và Z

Dòng điện tiêu thụ trong

Từ 400 mA trở xuống*4

Khối lượng

KV-8000: Xấp xỉ 340 g,
KV-B1 (pin): Xấp xỉ 10 g

Thông số kỹ thuật hiệu suất

Phương pháp điều khiển tính toán

Phương pháp lưu trữ chương trình

Phương pháp điều khiển ngõ vào/ra

Phương pháp làm mới

Ngôn ngữ lập trình

Thang mở rộng, tập lệnh KV, ký hiệu dễ nhớ

Số lệnh

Hướng dẫn cơ bản: 80 loại, 181 hướng dẫn
Hướng dẫn ứng dụng: 50 loại, 67 hướng dẫn
Các hướng dẫn tính toán: 125 loại, 318 hướng dẫn
Các hướng dẫn mở rộng: 77 loại, 132 hướng dẫn
Tổng cộng: 332 loại, 698 hướng dẫn

Tốc độ thực hiện lệnh

Hướng dẫn cơ bản: Tối thiểu 0,96 ns
Hướng dẫn ứng dụng: Tối thiểu 5,75 ns
Lệnh dấu phẩy động có độ chính xác kép: Tối thiểu 58 ns

Dung lượng bộ nhớ CPU

64 MB

Sức chứa chương trình

Xấp xỉ 1500 k bước

Số lượng đơn vị tối đa được cài đặt

16 thiết bị (Chỉ khối mở rộng Sê-ri KV-8000/7000),
48 thiết bị (Khối mở rộng Sê-ri KV-8000/7000,
khối mở rộng Sê-ri Kv-5000/3000
(khi khối mở rộng (KV-EB1) được sử dụng))

Số điểm ngõ vào/ra tối đa

Tối đa 3072 điểm khi mở rộng
(KV-EB1S/KV-EB1R: 2 khối được sử dụng, khối 64 điểm được sử dụng)

Thiết bị bit

Rơ-le ngõ vào R

Tổng cộng 32000 điểm 1 bit

Rơ-le ngõ ra R

Rơ-le hỗ trợ trong R

Rơ-le liên kết B

32768 điểm 1 bit

Rơ-le hỗ trợ trong MR

64000 điểm 1 bit

Rơ-le chốt LR

16000 điểm 1 bit

Rơ-le điều khiển CR

1280 điểm 1 bit

Thiết bị từ

Bộ hẹn giờ T

4000 điểm 32 bit

Bộ đếm C

Bộ nhớ dữ liệu DM

65535 điểm 16 bit

Bộ nhớ dữ liệu mở rộng EM

Đăng ký tập tin

Ngân hàng hiện tại FM

524288 điểm 16 bit

Chế độ xoay số

Đăng ký liên kết W

32768 điểm 16 bit

Bộ nhớ tạm thời TM

512 điểm 16 bit

Đăng ký chỉ mục Z

12 điểm 32 bit

Bộ nhớ điều khiển CM

7600 điểm 16 bit

Số lượng chú giải/nhãn được lưu trữ trong thiết bị chính

Chú giải thiết bị

Xấp xỉ 224000

Nhãn

Xấp xỉ 285000

Chức năng tắt nguồn

Bộ nhớ chương trình

Flash ROM có thể ghi được 10000 lần

Thiết bị

RAM điện tĩnh

Calendar clock

Tụ điện dự phòng kéo dài xấp xỉ 15 ngày (ở 25°C)
(Xấp xỉ 5 năm với KV-B1 (pin) (ở 25°C))

Chức năng tự chẩn đoán

Lỗi CPU, lỗi RAM và các vấn đề khác

*1 Phạm vi đảm bảo trong đó hệ thống có thể được sử dụng.
*2 Được chỉ định theo nhiệt độ trong bảng điều khiển ở phía dưới của thiết bị.
*3 Tương thích với JIS B 3502 và IEC61131-2, Thời gian quét: 10 lần cho mỗi hướng X, Y và Z (trong 100 phút)
*4 Dòng điện tiêu thụ tối đa là 3,2 A khi sử dụng khối mở rộng.